رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIE818DF-T1-E3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIE818DF-T1-E3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 75V 60A 10POLARPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 75 V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
المخزون:
12916104
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIE818DF-T1-E3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Last Time Buy
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
75 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
60A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
9.5mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3200 pF @ 38 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
10-PolarPAK® (L)
العبوة / العلبة
10-PolarPAK® (L)
رقم المنتج الأساسي
SIE818
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SIE818DF-T1-E3CT
SIE818DF-T1-E3TR
SIE818DFT1E3
SIE818DF-T1-E3DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SQJ401EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 12V 32A PPAK SO-8
SI7421DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 6.4A PPAK 1212-8
SQ3427EV-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
