رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIHA17N80E-E3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIHA17N80E-E3-DG
وصف:
MOSFET N-CHANNEL 800V 15A TO220
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 15A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
المخزون:
4 قطع جديدة أصلية في المخزون
12786756
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIHA17N80E-E3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tube
سلسلة
E
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
15A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
290mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2408 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
35W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220 Full Pack
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
SIHA17
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
AOTF15S65L
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
830
DiGi رقم الجزء
AOTF15S65L-DG
سعر الوحدة
1.18
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IPA60R230P6XKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
77
DiGi رقم الجزء
IPA60R230P6XKSA1-DG
سعر الوحدة
1.13
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
FCPF260N60E
المُصنِّع
Fairchild Semiconductor
الكمية المتاحة
190
DiGi رقم الجزء
FCPF260N60E-DG
سعر الوحدة
1.76
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIR638ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
SQD40020E_GE3
MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
SIHB180N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK