SIHB22N60S-GE3
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

SIHB22N60S-GE3

Product Overview

المُصنّع:

Vishay Siliconix

رقم الجزء DiGi Electronics:

SIHB22N60S-GE3-DG

وصف:

MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

المخزون:

12787000
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

SIHB22N60S-GE3 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
S
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
22A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
190mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2810 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
250W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
SIHB22

معلومات إضافية

الباقة القياسية
800

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
SPB21N50C3ATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2928
DiGi رقم الجزء
SPB21N50C3ATMA1-DG
سعر الوحدة
2.00
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
R6020KNJTL
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
1540
DiGi رقم الجزء
R6020KNJTL-DG
سعر الوحدة
1.47
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IXFA22N65X2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
250
DiGi رقم الجزء
IXFA22N65X2-DG
سعر الوحدة
2.56
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
AOB25S65L
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
1670
DiGi رقم الجزء
AOB25S65L-DG
سعر الوحدة
1.72
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STB28N65M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STB28N65M2-DG
سعر الوحدة
1.53
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
vishay-siliconix

SUM90N10-8M2P-E3

MOSFET N-CH 100V 90A TO263

vishay-siliconix

SUD50P10-43-E3

MOSFET P-CH 100V 38A TO252

vishay-siliconix

SIHFB20N50K-E3

MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB

vishay-siliconix

SIHP21N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 17.4A TO220AB