رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIHD6N80E-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIHD6N80E-GE3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 5.4A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252AA
المخزون:
2062 قطع جديدة أصلية في المخزون
12787169
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIHD6N80E-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Bulk
سلسلة
E
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5.4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
940mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
827 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
78W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
SIHD6
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TK5P60W,RVQ
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
9180
DiGi رقم الجزء
TK5P60W,RVQ-DG
سعر الوحدة
0.68
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SUP85N10-10P-GE3
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
SQJA06EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 57A PPAK SO-8
SIHD180N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 19A TO252AA
