رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIHG20N50C-E3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIHG20N50C-E3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 20A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
المخزون:
6056 قطع جديدة أصلية في المخزون
12917475
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIHG20N50C-E3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
20A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
270mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2942 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
250W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247AC
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
SIHG20
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
25
اسماء اخرى
SIHG20N50CE3
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI4178DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
SI4628DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 38A 8SO
SI4384DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
