رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIHLU024-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIHLU024-GE3-DG
وصف:
LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 14A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Through Hole TO-251AA
المخزون:
2170 قطع جديدة أصلية في المخزون
12977794
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIHLU024-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
14A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4V, 5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
100mOhm @ 8.4A, 5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
18 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
870 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 42W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-251AA
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
742-SIHLU024-GE3DKRINACTIVE
742-SIHLU024-GE3TR-DG
742-SIHLU024-GE3CTINACTIVE
742-SIHLU024-GE3TR
742-SIHLU024-GE3CT-DG
742-SIHLU024-GE3CT
742-SIHLU024-GE3
742-SIHLU024-GE3DKR-DG
742-SIHLU024-GE3DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRLU024PBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
2650
DiGi رقم الجزء
IRLU024PBF-DG
سعر الوحدة
0.65
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIHP6N40D-BE3
N-CHANNEL 400V
SIHFR320TR-GE3
MOSFET N-CHANNEL 400V
SQ2364EES-T1_BE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET