رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIR876DP-T1-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIR876DP-T1-GE3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 40A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
المخزون:
12916249
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIR876DP-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
40A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
10.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.8V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1640 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
5W (Ta), 62.5W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SO-8
العبوة / العلبة
PowerPAK® SO-8
رقم المنتج الأساسي
SIR876
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SIR876DP-T1-GE3DKR
SIR876DPT1GE3
SIR876DP-T1-GE3CT
SIR876DP-T1-GE3TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SIR876ADP-T1-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
SIR876ADP-T1-GE3-DG
سعر الوحدة
0.63
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
BSC109N10NS3GATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
38915
DiGi رقم الجزء
BSC109N10NS3GATMA1-DG
سعر الوحدة
0.57
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STL40N10F7
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
5788
DiGi رقم الجزء
STL40N10F7-DG
سعر الوحدة
0.63
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIHG47N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
SQJA90EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SI1470DH-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 5.1A SC70-6
