رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIZ902DT-T1-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIZ902DT-T1-GE3-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 16A 29W, 66W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
المخزون:
2922 قطع جديدة أصلية في المخزون
12787660
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIZ902DT-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Half Bridge)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
16A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
12mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
21nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
790pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
29W, 66W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-PowerWDFN
حزمة جهاز المورد
8-PowerPair® (6x5)
رقم المنتج الأساسي
SIZ902
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SIZ902DT-T1-GE3DKR
SIZ902DT-T1-GE3TR
SIZ902DT-T1-GE3CT
SIZ902DTT1GE3
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIZ988DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 40A 8PWRPAIR
SQJQ904E-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8
SIZF906ADT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8POWERPAIR
