رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SQ2361AEES-T1_GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SQ2361AEES-T1_GE3-DG
وصف:
MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
وصف تفصيلي:
P-Channel 60 V 2.8A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount
المخزون:
69168 قطع جديدة أصلية في المخزون
12786746
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SQ2361AEES-T1_GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Last Time Buy
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
170mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
620 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TA)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
SQ2361
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SQ2361AEES-T1_GE3DKR
SQ2361AEES-T1-GE3
SQ2361AEES-T1_GE3-DG
SQ2361AEES-T1_GE3TR
SQ2361AEES-T1_GE3CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SQ2361AEES-T1_BE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
5051
DiGi رقم الجزء
SQ2361AEES-T1_BE3-DG
سعر الوحدة
0.17
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIHFR420TRL-GE3
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
SIHB22N60EL-GE3
MOSFET N-CH 600V 21A TO263
SIHA17N80E-E3
MOSFET N-CHANNEL 800V 15A TO220
