رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SQD50N04-5M6_GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SQD50N04-5M6_GE3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 50A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount TO-252AA
المخزون:
12786790
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SQD50N04-5M6_GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
50A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4000 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
71W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
SQD50
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
SQD50N04-5M6_GE3-DG
SQD50N04-5M6_GE3TR
SQD50N04-5M6-GE3
SQD50N04-5M6_GE3CT
SQD50N04-5M6_GE3DKR
SQD50N04-5M6-GE3-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDD8453LZ
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
705
DiGi رقم الجزء
FDD8453LZ-DG
سعر الوحدة
0.83
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
SQD50N04-5M6_T4GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
42117
DiGi رقم الجزء
SQD50N04-5M6_T4GE3-DG
سعر الوحدة
0.55
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIR438DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
SIHA21N65EF-E3
MOSFET N-CH 650V 21A TO220
SQJQ410EL-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 135A PPAK 8 X 8
