رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SQM120N04-1M7L_GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SQM120N04-1M7L_GE3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263
المخزون:
2298 قطع جديدة أصلية في المخزون
12786359
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SQM120N04-1M7L_GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
120A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
285 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
14606 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
375W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
SQM120
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
SQM120N04-1M7L-GE3TR-DG
SQM120N04-1M7L-GE3TR
SQM120N04-1M7L_GE3TR
SQM120N04-1M7L-GE3-DG
SQM120N04-1M7L-GE3CT-DG
SQM120N04-1M7L_GE3CT
SQM120N04-1M7L-GE3
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIRA90DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
SIR632DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 150V 29A PPAK SO-8
SQM40P10-40L_GE3
MOSFET P-CH 100V 40A TO263
