رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SQS460CENW-T1_GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SQS460CENW-T1_GE3-DG
وصف:
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 8A (Tc) 27W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8W
المخزون:
50 قطع جديدة أصلية في المخزون
12991422
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SQS460CENW-T1_GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
30mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
580 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
27W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® 1212-8W
العبوة / العلبة
PowerPAK® 1212-8W
رقم المنتج الأساسي
SQS460
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
742-SQS460CENW-T1_GE3CT
742-SQS460CENW-T1_GE3DKR
742-SQS460CENW-T1_GE3TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI2307A
30V 3A 1.25W 80MR@10V,3A 3V@250A
AO3416A
20V 6.5A [email protected],6.5A 1.4W 1.1
2N65G
SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFETS
