رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SQW44N65EF-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SQW44N65EF-GE3-DG
وصف:
E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 47A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247AD
المخزون:
487 قطع جديدة أصلية في المخزون
12959035
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SQW44N65EF-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Bulk
سلسلة
E
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
47A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
73mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
266 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5858 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247AD
العبوة / العلبة
TO-247-3
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
480
اسماء اخرى
742-SQW44N65EF-GE3
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPTG011N08NM5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 42A/408A HSOG-8
SIHP21N80AEF-GE3
E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
SQSA70CENW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 150 V (D-S)
