رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SI5473DC-T1-E3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SI5473DC-T1-E3-DG
وصف:
MOSFET P-CH 12V 5.9A 1206-8
وصف تفصيلي:
P-Channel 12 V 5.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
المخزون:
13054765
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SI5473DC-T1-E3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
TrenchFET®
التغليف
Tape & Reel (TR)
حالة الجزء
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
12 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5.9A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.8V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
27mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
32 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±8V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.3W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
1206-8 ChipFET™
العبوة / العلبة
8-SMD, Flat Leads
رقم المنتج الأساسي
SI5473
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SI5473DCT1E3
SI5473DC-T1-E3CT
SI5473DC-T1-E3DKR
SI5473DC-T1-E3TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RT1A040ZPTR
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
RT1A040ZPTR-DG
سعر الوحدة
0.29
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
RT1A050ZPTR
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
7984
DiGi رقم الجزء
RT1A050ZPTR-DG
سعر الوحدة
0.33
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI1416EDH-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363
IRFR1N60APBF
MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
IRFP450LCPBF
MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
