رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BUJD203AX,127
Product Overview
المُصنّع:
WeEn Semiconductors
رقم الجزء DiGi Electronics:
BUJD203AX,127-DG
وصف:
TRANS NPN 425V 4A TO220F
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 425 V 4 A 26 W Through Hole TO-220F
المخزون:
13480435
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BUJD203AX,127 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
WeEn Semiconductors
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
4 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
425 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
1V @ 600mA, 3A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
2mA
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
10 @ 1mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
26 W
التردد - الانتقال
-
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
حزمة جهاز المورد
TO-220F
رقم المنتج الأساسي
BUJD2
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
934064982127
BUJD203AX127
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BUJ103AX,127
TRANS NPN 400V 4A TO220F
BUJ100,412
TRANS NPN 400V 1A TO92-3
BUJ105A,127
TRANS NPN 400V 8A TO220AB