رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSC035N04LSGATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSC035N04LSGATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 21A/100A TDSON
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 21A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
المخزون:
15817 قطع جديدة أصلية في المخزون
12799536
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSC035N04LSGATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
21A (Ta), 100A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 36µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5100 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TDSON-8-1
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
BSC035
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
BSC035N04LS GDKR
BSC035N04LS GTR-DG
BSC035N04LSGATMA1DKR
BSC035N04LS GCT-DG
BSC035N04LSGATMA1DKR-DGTR-DG
BSC035N04LS G-DG
BSC035N04LSGATMA1TR
BSC035N04LS GCT
BSC035N04LS G
BSC035N04LSGATMA1CT-DGTR-DG
BSC035N04LSG
SP000391503
BSC035N04LSGATMA1CT
BSC035N04LS GDKR-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IAUT165N08S5N029ATMA2
MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF
BSP315PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
BSF035NE2LQXUMA1
MOSFET N-CH 25V 22A/69A 2WDSON
