رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSP296NL6327HTSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSP296NL6327HTSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 1.2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
المخزون:
12798804
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSP296NL6327HTSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.2A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
600mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.8V @ 100µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
6.7 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
152.7 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.8W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-SOT223-4
العبوة / العلبة
TO-261-4, TO-261AA
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
SP000942910
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
BSP296NH6433XTMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
14692
DiGi رقم الجزء
BSP296NH6433XTMA1-DG
سعر الوحدة
0.32
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
BSP296NH6327XTSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
12198
DiGi رقم الجزء
BSP296NH6327XTSA1-DG
سعر الوحدة
0.31
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSC021N08NS5ATMA1
MOSFET TRENCH 80V TSON-8
AUIRF3315STRL
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
BSC009NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON
