رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPB020N10N5ATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPB020N10N5ATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
المخزون:
7082 قطع جديدة أصلية في المخزون
12801326
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPB020N10N5ATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
120A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.8V @ 270µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
15600 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
375W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO263-3
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IPB020
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
IPB020N10N5ATMA1CT
IPB020N10N5ATMA1DKR
2156-IPB020N10N5ATMA1TR
SP001132558
IPB020N10N5ATMA1TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPP100N06S3-03
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
IPB120P04P404ATMA1
MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
IPD65R400CEAUMA1
MOSFET N-CH 650V 15.1A TO252-3