رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPB80R290C3AATMA2
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPB80R290C3AATMA2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 17A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
المخزون:
9641 قطع جديدة أصلية في المخزون
12800224
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPB80R290C3AATMA2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
CoolMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
17A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
290mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.9V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2300 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
227W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO263-3-2
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IPB80R
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
IPB80R290C3AATMA2-DG
448-IPB80R290C3AATMA2TR
448-IPB80R290C3AATMA2DKR
448-IPB80R290C3AATMA2CT
2156-IPB80R290C3AATMA2
INFINFIPB80R290C3AATMA2
SP002890376
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPA60R099C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP
IMW120R045M1XKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3
IPD100N04S402ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3
