رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF150P221XKMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF150P221XKMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 150 V 186A (Tc) 341W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
المخزون:
12805345
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF150P221XKMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
StrongIRFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
150 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
186A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.6V @ 264µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6000 pF @ 75 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
341W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO247-3
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
IRF150
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
25
اسماء اخرى
SP001621154
IRF150P221
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF150P221AKMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
525
DiGi رقم الجزء
IRF150P221AKMA1-DG
سعر الوحدة
3.76
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFH5015TRPBF
MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN
IRFB7430PBF
MOSFET N CH 40V 195A TO220
IRF5210STRRPBF
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
