رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF7316TR
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF7316TR-DG
وصف:
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 4.9A 2W Surface Mount 8-SO
المخزون:
12805505
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
tCR0
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF7316TR المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 P-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.9A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
58mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
34nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
710pF @ 25V
الطاقة - الحد الأقصى
2W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SO
رقم المنتج الأساسي
IRF731
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF7316TRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
17485
DiGi رقم الجزء
IRF7316TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.34
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
ZXMP3A16DN8TA
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
310
DiGi رقم الجزء
ZXMP3A16DN8TA-DG
سعر الوحدة
0.50
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF7901D1TR
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SO
IRF7757TR
MOSFET 2N-CH 20V 4.8A 8TSSOP
IRF7341QTRPBF
MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8-SOIC