رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF7749L2TR1PBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF7749L2TR1PBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFET
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 33A (Ta), 375A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric L8
المخزون:
12806476
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF7749L2TR1PBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
33A (Ta), 375A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.5mOhm @ 120A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
12320 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.3W (Ta), 125W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DirectFET™ Isometric L8
العبوة / العلبة
DirectFET™ Isometric L8
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
IRF7749L2TR1PBFTR
IRF7749L2TR1PBFDKR
SP001575300
IRF7749L2TR1PBFCT
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPT65R195G7XTMA1
MOSFET N-CH 650V 14A 8HSOF
SPB80N08S2-07
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
IRLR3717PBF
MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
