رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFX64N60P
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFX64N60P-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 64A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
المخزون:
911 قطع جديدة أصلية في المخزون
12819490
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFX64N60P المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
HiPerFET™, Polar
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
64A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
96mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 8mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
12000 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1040W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PLUS247™-3
العبوة / العلبة
TO-247-3 Variant
رقم المنتج الأساسي
IXFX64
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTQ74N15T
MOSFET N-CH 150V 74A TO3P
IXFT24N80P
MOSFET N-CH 800V 24A TO268
IXTK80N25
MOSFET N-CH 250V 80A TO264
