رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
APT50M50L2LLG
Product Overview
المُصنّع:
Microchip Technology
رقم الجزء DiGi Electronics:
APT50M50L2LLG-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 89A 264 MAX
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 89A (Tc) Through Hole 264 MAX™ [L2]
المخزون:
13254150
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
APT50M50L2LLG المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Microchip Technology
تعبئة
Tube
سلسلة
POWER MOS 7®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
89A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
50mOhm @ 44.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 5mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
200 nC @ 10 V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
10550 pF @ 25 V
ميزة FET
-
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
264 MAX™ [L2]
العبوة / العلبة
TO-264-3, TO-264AA
رقم المنتج الأساسي
APT50M50
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXFK80N50Q3
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
1
DiGi رقم الجزء
IXFK80N50Q3-DG
سعر الوحدة
23.31
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXFK80N50P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
1077
DiGi رقم الجزء
IXFK80N50P-DG
سعر الوحدة
13.32
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXFB100N50Q3
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
13
DiGi رقم الجزء
IXFB100N50Q3-DG
سعر الوحدة
30.09
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXFK78N50P3
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXFK78N50P3-DG
سعر الوحدة
12.94
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
APT58M50JU2
MOSFET N-CH 500V 58A SOT227
APT7M120B
MOSFET N-CH 1200V 8A TO247
APTM20DAM08TG
MOSFET N-CH 200V 208A SP4