الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDB050AN06A0
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDB050AN06A0-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 18A (Ta), 80A (Tc) 245W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
79 قطع جديدة أصلية في المخزون
12836852
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDB050AN06A0 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
18A (Ta), 80A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3900 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
245W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
FDB050
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
FDB050AN06A0, FDP050AN06A0
مخططات البيانات
FDB050AN06A0
ورقة بيانات HTML
FDB050AN06A0-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
2832-FDB050AN06A0
FDB050AN06A0CT
FDB050AN06A0DKR
FDB050AN06A0TR
FDB050AN06A0-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXFA230N075T2-7
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
45
DiGi رقم الجزء
IXFA230N075T2-7-DG
سعر الوحدة
3.29
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFS3306TRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
86
DiGi رقم الجزء
IRFS3306TRLPBF-DG
سعر الوحدة
1.10
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPB054N06N3GATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1043
DiGi رقم الجزء
IPB054N06N3GATMA1-DG
سعر الوحدة
0.72
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
PHB21N06LT,118
المُصنِّع
NXP USA Inc.
الكمية المتاحة
978
DiGi رقم الجزء
PHB21N06LT,118-DG
سعر الوحدة
0.38
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PSMN4R6-60BS,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
10374
DiGi رقم الجزء
PSMN4R6-60BS,118-DG
سعر الوحدة
0.87
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQB19N10LTM
MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK
HUFA76633S3S
MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
2V7002LT3G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
BSP295H6327XTSA1
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4