FDB050AN06A0
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDB050AN06A0

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDB050AN06A0-DG

وصف:

MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 18A (Ta), 80A (Tc) 245W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

المخزون:

79 قطع جديدة أصلية في المخزون
12836852
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDB050AN06A0 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
18A (Ta), 80A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3900 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
245W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
FDB050

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
2832-FDB050AN06A0
FDB050AN06A0CT
FDB050AN06A0DKR
FDB050AN06A0TR
FDB050AN06A0-DG

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
IXFA230N075T2-7
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
45
DiGi رقم الجزء
IXFA230N075T2-7-DG
سعر الوحدة
3.29
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFS3306TRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
86
DiGi رقم الجزء
IRFS3306TRLPBF-DG
سعر الوحدة
1.10
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPB054N06N3GATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1043
DiGi رقم الجزء
IPB054N06N3GATMA1-DG
سعر الوحدة
0.72
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
PHB21N06LT,118
المُصنِّع
NXP USA Inc.
الكمية المتاحة
978
DiGi رقم الجزء
PHB21N06LT,118-DG
سعر الوحدة
0.38
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PSMN4R6-60BS,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
10374
DiGi رقم الجزء
PSMN4R6-60BS,118-DG
سعر الوحدة
0.87
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FQB19N10LTM

MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK

onsemi

HUFA76633S3S

MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK

onsemi

2V7002LT3G

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3

infineon-technologies

BSP295H6327XTSA1

MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4