رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDP24N40
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDP24N40-DG
وصف:
MOSFET N-CH 400V 24A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 400 V 24A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
12850426
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
P8F4
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDP24N40 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
UniFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
400 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
24A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
175mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3020 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
227W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FDP24
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
2156-FDP24N40-OS
FAIFSCFDP24N40
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STP18N55M5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
971
DiGi رقم الجزء
STP18N55M5-DG
سعر الوحدة
1.33
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
NTP165N65S3H
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
523
DiGi رقم الجزء
NTP165N65S3H-DG
سعر الوحدة
1.81
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
SIHP25N40D-E3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
986
DiGi رقم الجزء
SIHP25N40D-E3-DG
سعر الوحدة
1.28
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQA34N20
MOSFET N-CH 200V 34A TO3P
BSC011N03LSTATMA1
MOSFET N-CH 30V 39A/100A TDSON
FQAF13N80
MOSFET N-CH 800V 8A TO3PF
