رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTMFS6H818NLT1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTMFS6H818NLT1G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V 22A (Ta), 135A (Tc) 3.8W (Ta), 140W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
المخزون:
12938210
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTMFS6H818NLT1G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
22A (Ta), 135A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 190µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3844 pF @ 40 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.8W (Ta), 140W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN, 5 Leads
رقم المنتج الأساسي
NTMFS6
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,500
اسماء اخرى
2832-NTMFS6H818NLT1G
488-NTMFS6H818NLT1GDKR
488-NTMFS6H818NLT1GTR
488-NTMFS6H818NLT1GCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NVMFS6H818NLT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
1425
DiGi رقم الجزء
NVMFS6H818NLT1G-DG
سعر الوحدة
1.92
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
RS6N120BHTB1
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
1763
DiGi رقم الجزء
RS6N120BHTB1-DG
سعر الوحدة
1.14
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFC3710D
MOSFET 100V 57A DIE
MMBF1374T1
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
TK100S04N1L,LXHQ
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
