رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TK100S04N1L,LXHQ
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TK100S04N1L,LXHQ-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 100A (Ta) 180W (Tc) Surface Mount DPAK+
المخزون:
721 قطع جديدة أصلية في المخزون
12938217
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TK100S04N1L,LXHQ المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
U-MOSVIII-H
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 500µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5490 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
180W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
175°C
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DPAK+
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
TK100S04
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
TK100S04N1L,LXHQ(O
264-TK100S04N1LLXHQDKR
264-TK100S04N1LLXHQCT
264-TK100S04N1LLXHQTR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTMFS6H801NLT1G
MOSFET N-CH 80V 24A/160A 5DFN
XPN6R706NC,L1XHQ
MOSFET N-CH 60V 40A 8TSON
NTH4L020N120SC1
SICFET N-CH 1200V 102A TO247
