رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SSM3J332R,LF
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
SSM3J332R,LF-DG
وصف:
MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
وصف تفصيلي:
P-Channel 30 V 6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F
المخزون:
194915 قطع جديدة أصلية في المخزون
12889439
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SSM3J332R,LF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
U-MOSVI
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.8V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
42mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.2V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8.2 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
560 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23F
العبوة / العلبة
SOT-23-3 Flat Leads
رقم المنتج الأساسي
SSM3J332
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SSM3J332R,LF(T
SSM3J332RLF(TTR-DG
SSM3J332RLFDKR
SSM3J332R,LF(B
SSM3J332RLF(TCT-DG
SSM3J332RLF(TCT
SSM3J332RLFCT
SSM3J332RLFTR
SSM3J332RLF(TTR
SSM3J332RLF(TDKR-DG
SSM3J332RLF(TDKR
SSM3J332RLF
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SSM6K406TU,LF
MOSFET N-CH 30V 4.4A UF6
TK14A45D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 450V 14A TO220SIS
DMT6009LSS-13
MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2
