TBC857B,LM
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

TBC857B,LM

Product Overview

المُصنّع:

Toshiba Semiconductor and Storage

رقم الجزء DiGi Electronics:

TBC857B,LM-DG

وصف:

TRANS PNP 50V 0.15A SOT23-3
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 150 mA 80MHz 320 mW Surface Mount SOT-23-3

المخزون:

19794 قطع جديدة أصلية في المخزون
12889154
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

TBC857B,LM المواصفات الفنية

فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
150 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
650mV @ 100mA, 5mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
30nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
210 @ 2mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
320 mW
التردد - الانتقال
80MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
TBC857

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
TBC857BLMCT
TBC857BLMTR
TBC857BLMDKR
TBC857B,LM(T
TBC857B,LM(B

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
toshiba-semiconductor-and-storage

2SC6139,T2F(M

TRANS NPN 160V 1.5A MSTM

toshiba-semiconductor-and-storage

2SA1761,F(J

TRANS PNP 50V 3A TO92MOD

nexperia

BC847CW/MIF

TRANS NPN 45V 0.1A SOT323

toshiba-semiconductor-and-storage

TBC847B,LM

TRANS NPN 50V 0.15A SOT23-3