TK31J60W5,S1VQ
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

TK31J60W5,S1VQ

Product Overview

المُصنّع:

Toshiba Semiconductor and Storage

رقم الجزء DiGi Electronics:

TK31J60W5,S1VQ-DG

وصف:

MOSFET N-CH 600V 30.8A TO3P
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 30.8A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-3P(N)

المخزون:

25 قطع جديدة أصلية في المخزون
12889752
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

TK31J60W5,S1VQ المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tube
سلسلة
DTMOSIV
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
30.8A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
88mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.7V @ 1.5mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3000 pF @ 300 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
230W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3P(N)
العبوة / العلبة
TO-3P-3, SC-65-3
رقم المنتج الأساسي
TK31J60

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
25
اسماء اخرى
TK31J60W5S1VQ
TK31J60W5,S1VQ(O

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
toshiba-semiconductor-and-storage

TK25E60X5,S1X

MOSFET N-CH 600V 25A TO220

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6J215FE(TE85L,F

MOSFET P CH 20V 3.4A ES6

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3J145TU,LF

MOSFET P-CH 20V 3A UFM

toshiba-semiconductor-and-storage

TK3R1A04PL,S4X

MOSFET N-CH 40V 82A TO220SIS