رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TPC6010-H(TE85L,FM
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TPC6010-H(TE85L,FM-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 6.1A VS-6
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 6.1A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-6 (2.9x2.8)
المخزون:
12890407
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TPC6010-H(TE85L,FM المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
U-MOSVI-H
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.1A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
59mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.3V @ 100µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
830 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
700mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
VS-6 (2.9x2.8)
العبوة / العلبة
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
رقم المنتج الأساسي
TPC6010
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
TPC6010-H(TE85LFM
TPC6010HTE85LFM
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDC5661N-F085
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
19922
DiGi رقم الجزء
FDC5661N-F085-DG
سعر الوحدة
0.17
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
AO6420
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
223855
DiGi رقم الجزء
AO6420-DG
سعر الوحدة
0.14
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SSM3K341R,LF
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
37994
DiGi رقم الجزء
SSM3K341R,LF-DG
سعر الوحدة
0.11
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FDC5612
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
4007
DiGi رقم الجزء
FDC5612-DG
سعر الوحدة
0.17
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
TPN1110ENH,L1Q
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
34748
DiGi رقم الجزء
TPN1110ENH,L1Q-DG
سعر الوحدة
0.57
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TK5P53D(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 525V 5A DPAK
SSM3J140TU,LF
MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM
TPC6012(TE85L,F,M)
MOSFET N-CH 20V 6A VS-6
