رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2N6661JAN02
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
2N6661JAN02-DG
وصف:
MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
وصف تفصيلي:
N-Channel 90 V 860mA (Tc) 725mW (Ta), 6.25W (Tc) Through Hole TO-39
المخزون:
12872940
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2N6661JAN02 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
90 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
860mA (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 1mA
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
50 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
725mW (Ta), 6.25W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-39
العبوة / العلبة
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
رقم المنتج الأساسي
2N6661
معلومات إضافية
الباقة القياسية
20
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STP4LN80K5
MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO220
STB150N3LH6
MOSFET N CH 30V 80A D2PAK
IRF730
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB