رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIS108DN-T1-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIS108DN-T1-GE3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 80V 6.7A/16A PPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V 6.7A (Ta), 16A (Tc) 3.2W (Ta), 24W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
المخزون:
5000 قطع جديدة أصلية في المخزون
12786789
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIS108DN-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET® Gen IV
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.7A (Ta), 16A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
7.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
34mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
545 pF @ 40 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.2W (Ta), 24W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® 1212-8
العبوة / العلبة
PowerPAK® 1212-8
رقم المنتج الأساسي
SIS108
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SIS108DN-T1-GE3CT
SIS108DN-T1-GE3CT-DG
742-SIS108DN-T1-GE3CT
742-SIS108DN-T1-GE3TR
SIS108DN-T1-GE3DKR-DG
SIS108DN-T1-GE3TR
2266-SIS108DN-T1-GE3TR
742-SIS108DN-T1-GE3DKR
SIS108DN-T1-GE3TR-DG
SIS108DN-T1-GE3DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SQD50N04-5M6_GE3
MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
SIR438DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
SIHA21N65EF-E3
MOSFET N-CH 650V 21A TO220
