رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFL014TRPBF
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFL014TRPBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 2.7A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223
المخزون:
9192 قطع جديدة أصلية في المخزون
13054682
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFL014TRPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
التغليف
Tape & Reel (TR)
حالة الجزء
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.7A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
200mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
300 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2W (Ta), 3.1W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-223
العبوة / العلبة
TO-261-4, TO-261AA
رقم المنتج الأساسي
IRFL014
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
IRFL014PBFTR
*IRFL014TRPBF
IRFL014PBFDKR
IRFL014PBFCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI5473DC-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 5.9A 1206-8
SI1416EDH-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363
IRFR1N60APBF
MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
