TK12A60D(STA4,Q,M)
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

TK12A60D(STA4,Q,M)

Product Overview

المُصنّع:

Toshiba Semiconductor and Storage

رقم الجزء DiGi Electronics:

TK12A60D(STA4,Q,M)-DG

وصف:

MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 12A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS

المخزون:

54 قطع جديدة أصلية في المخزون
12889746
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

TK12A60D(STA4,Q,M) المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tube
سلسلة
π-MOSVII
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
550mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1800 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
45W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220SIS
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
TK12A60

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
TK12A60D(STA4QM)
TK12A60DSTA4QM

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6K504NU,LF

MOSFET N-CH 30V 9A 6UDFNB

toshiba-semiconductor-and-storage

TK31J60W5,S1VQ

MOSFET N-CH 600V 30.8A TO3P

toshiba-semiconductor-and-storage

TK25E60X5,S1X

MOSFET N-CH 600V 25A TO220

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6J215FE(TE85L,F

MOSFET P CH 20V 3.4A ES6