رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TPN2R503NC,L1Q
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TPN2R503NC,L1Q-DG
وصف:
MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 40A (Ta) 700mW (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
المخزون:
12890532
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TPN2R503NC,L1Q المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
U-MOSVIII
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
40A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.3V @ 500µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2230 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
700mW (Ta), 35W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-TSON Advance (3.1x3.1)
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
رقم المنتج الأساسي
TPN2R503
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
TPN2R503NCL1QCT
TPN2R503NC,L1Q(M
TPN2R503NCL1QTR
TPN2R503NCL1Q
TPN2R503NCL1QDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TPN2R203NC,L1Q
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
5468
DiGi رقم الجزء
TPN2R203NC,L1Q-DG
سعر الوحدة
0.40
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
AON6358
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
2359
DiGi رقم الجزء
AON6358-DG
سعر الوحدة
0.27
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TPCP8001-H(TE85LFM
MOSFET N-CH 30V 7.2A PS-8
TPCA8008-H(TE12L,Q
MOSFET N-CH 250V 4A 8SOP
TK7P60W5,RVQ
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
